纳米中心张剑平博士完成博士后工作顺利出站

2010年6月13日由上海市纳米科技与产业发展促进中心博士后工作站和中科院上海微系统与技术研究所博士后流动站联合组织评审专家组对联合培养的 博士后研究人员张剑平进行出站考核，专家组在认真听取了张剑平博士的研究总结汇报后，一致认为张剑平博士在站期间把握方向和解决各类技术问题的能力上都有 了很大的提高。

张剑平博士在站期间主持完成上海市博士后重点项目《紫外纳米压印光刻胶的研制》（编号：09R21420200）。在深入研究光刻胶配方中各个成分 对光刻胶性能的影响规律的基础上，研发出了一种紫外纳米压印专用的光刻胶。该光刻胶在4英寸硅片上的涂布平整度不大于10纳米，采用硬模板或软模板都能在 3分钟的曝光时间内压印出从微米级到100纳米左右的各种图形结构，图形分辨率较高；光刻胶的体积收缩率仅为2.5%，图形保真度高；光刻胶对硅片具有较 高的刻蚀选择比，在适合的工艺下选择比为1.37:1。在硅片和模板上的光刻胶用硫酸/双氧水一次就可以迅速、彻底洗净，提高了模板的使用效率。实验结果 表明，所研制的光刻胶其性能达到了同类进口紫外压印光刻胶的水平。在站期间，发表相关论文7篇，申请相关发明专利4项。

最后，专家组认为张剑平博士达到了博士后培养预定的目标，符合出站要求，一致同意出站。